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台联电45nm制程工艺突破:实验芯片诞生

  【IT168 资讯】据福布斯报道,台联电(UMC)45nm制程工艺取得突破,已经生产出了一块不到0.25平方微米的SRAM芯片。

  这块实验性芯片采用了改进晶圆蚀刻的193nm的沉浸平版印刷术制造而成,拥有12个金属层,并使用了应变硅技术、三栅氧化层和第二代low-k电介质薄膜,改善了电子迁移问题。

  UMC计划在明年投产45nm工艺产品,此前台积电在今年夏天就已经使用此技术制造出了45nm实验性芯片。

  与65nm工艺相比,新工艺可以将芯片的面积减小50%,性能则提升30%,目前Intel、IBM、德州仪器等都披露了45nm制程产品计划。